BD1754HFN
● Typical Performance Curves
Ta=-30,25,85 ℃
Ta=25 ℃
Ta=-30 ℃
Ta=85 ℃
Datasheet
Figure 4. Quiescent Current
Figure 5. Circuit current
Ta=-30,25,85 ℃
Ta=-30,25,85 ℃
Figure 6. LED off-leakage current
Figure 7. LED output current vs. LED pin voltage
(VIN = 3.6 V, at 32 mA of LED current)
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 ? 15 ? 001
4/16
TSZ02201-0G3G0C200060-1-2
9.NOV.2012 Rev.001
相关PDF资料
BD2802GU-E2 IC LED DRIVER RGB 24-VCSP
BD6062GU-E2 IC LED DRIVER FALSH VCSP85H2
BD6066EKN-E2 IC LED DRVR WHITE BCKLT 28-HVQFN
BD6069GUT-E2 IC LED DRIVR WHITE BCKLGT 8-VCSP
BD6081GVW-E2 IC LED DRIVER BACKLIGHT 63SBGA
BD6083GUL-E2 IC LED DRIVER BKLT 36VCSP50L3
BD6085GUL-E2 IC LED DRIVER BKLT 35VCSP50L3
BD6088GUL-E2 IC LED DRIVER BKLT 36VCSP50L3
相关代理商/技术参数
BD175-6 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
BD1756STU 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD176 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors
BD176-10 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
BD17610STU 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD176-16 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
BD176-6 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
BD1766STU 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2